V nadaljevanju preberite:

Konec prejšnjega meseca so v IBM pompozno pokazali lesketajočo se tristomilimetrsko proizvodno rezino silicija, posejano s testnimi čipi, kjer naj bi na površini srednje velikega nohta stalo kar 50 milijard polprevodniških elementov. Natančneje naj bi gostota znašala 330 milijonov tranzistorjev na kvadratni milimeter, kar so številke in velikosti, s katerimi se človeški um že težko spoprime. In vendar bomo okoli leta 2025 bržkone nosili v žepih telefone s prav takšnimi integriranimi vezji.

Zmogljivost digitalne računske elektronike se zadnjih petdeset let razvija po razvpitem načelu, znanem pod imenom Moorov zakon. Od svojih začetkov je sicer doživel že nekaj revizij, a v grobem pravi, da se število tranzistorjev v integriranih vezjih vsaki dve leti podvoji, temu ustrezno pa zraste tudi računska moč naprav.

Polprevodniška integrirana vezja nastajajo v procesu, imenovanem fotolitografija. Na polprevodniški silicij se najprej s svetlobo skozi masko odtisne vzorec želenega vezja. Zatem se material potopi v koktajl kemikalij, ki glede na obsevanost selektivno reagirajo z njim in snov izjedkajo. Proces se nato več desetkrat ponovi, vmes pa se snov tudi nanaša – v glavnem bakrena vodila. Gre za bržkone najzahtevnejšo obliko proizvodnje na svetu in cena tovarn na čelu tehnološkega razvoja se računa v več deset milijardah evrov.

Potopimo se v krasni svet proizvodnje računalniških čipov in poglejmo, kaj nam v kristalni krogli kaže testni primerek IBM.